STP8NK100Z دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
STP8NK100Z
|
|
حجم فایل
|
65.19
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
13
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Type:
N Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
STMicroelectronics STP8NK100Z
-
Operating Temperature:
-55°C~+150°C@(Tj)
-
Power Dissipation (Pd):
160W
-
Total Gate Charge (Qg@Vgs):
102nC@10V
-
Drain Source Voltage (Vdss):
1kV
-
Input Capacitance (Ciss@Vds):
2180pF@25V
-
Continuous Drain Current (Id):
6.5A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
4.5V@100uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
1.85Ω@10V,3.15A
-
Package:
TO-220
-
Manufacturer:
STMicroelectronics
