- صفحه اصلی
- دانلود دیتاشیت
- دیتاشیت SPW55N80C3
SPW55N80C3 دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | SPW55N80C3 |
|---|---|
| حجم فایل | 35.426 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 15 |
دانلود دیتاشیت SPW55N80C3 |
دانلود دیتاشیت |
|---|
سایر مستندات
مستندات دیگری یافت نشد!
مشخصات فنی
- RoHS: true
- Type: N Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: Infineon Technologies SPW55N80C3
- Power Dissipation (Pd): 500W
- Drain Source Voltage (Vdss): 800V
- Continuous Drain Current (Id): 54.9A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3.9V@3.3mA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 85mΩ@10V,32.6A
- Package: TO-247-3
- Manufacturer: Infineon Technologies
