دیتاشیت FDN5630
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت |
FDN5630
|
| حجم فایل |
72.008
کیلوبایت
|
| نوع فایل |
pdf
|
| تعداد صفحات |
5
|
مشخصات
-
RoHS:
true
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
onsemi FDN5630
-
Operating Temperature:
-55°C~+150°C@(Tj)
-
Power Dissipation (Pd):
500mW
-
Total Gate Charge (Qg@Vgs):
10nC@10V
-
Input Capacitance (Ciss@Vds):
400pF@15V
-
Continuous Drain Current (Id):
1.7A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
3V@250uA
-
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds):
-
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
100mΩ@1.7A,10V
-
Package:
SOT-23(TO-236)
-
Manufacturer:
onsemi
