- صفحه اصلی
- دانلود دیتاشیت
- دیتاشیت IPA65R650CE
IPA65R650CE دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | IPA65R650CE |
|---|---|
| حجم فایل | 72.088 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 16 |
دانلود دیتاشیت IPA65R650CE |
دانلود دیتاشیت |
|---|
سایر مستندات
مستندات دیگری یافت نشد!
مشخصات فنی
- RoHS: true
- Type: N Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: Infineon Technologies IPA65R650CE
- Power Dissipation (Pd): 28W
- Drain Source Voltage (Vdss): 650V
- Continuous Drain Current (Id): 7A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3.5V@210uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 650mΩ@10V,2.1A
- Package: TO-220
- Manufacturer: Infineon Technologies