دیتاشیت IPB180N10S4-02
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت |
IPB180N10S4-02
|
| حجم فایل |
60.43
کیلوبایت
|
| نوع فایل |
pdf
|
| تعداد صفحات |
9
|
مشخصات
-
RoHS:
true
-
Type:
N Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
Infineon Technologies IPB180N10S4-02
-
Power Dissipation (Pd):
300W
-
Drain Source Voltage (Vdss):
100V
-
Continuous Drain Current (Id):
180A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
3.5V@275uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
2.5mΩ@10V,100A
-
Package:
TO-263-7
-
Manufacturer:
Infineon Technologies
