- صفحه اصلی
- دانلود دیتاشیت
- دیتاشیت SPD02N80C3
SPD02N80C3 دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | SPD02N80C3 |
|---|---|
| حجم فایل | 75.081 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 10 |
دانلود دیتاشیت SPD02N80C3 |
دانلود دیتاشیت |
|---|
سایر مستندات
مستندات دیگری یافت نشد!
مشخصات فنی
- RoHS: true
- Type: N Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: Infineon Technologies SPD02N80C3
- Power Dissipation (Pd): 42W
- Drain Source Voltage (Vdss): 800V
- Continuous Drain Current (Id): 2A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3.9V@120uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 2.7Ω@10V,1.2A
- Package: TO-252
- Manufacturer: Infineon Technologies