دیتاشیت FQT7N10LTF
مشخصات دیتاشیت
نام دیتاشیت |
FQT7N10LTF
|
حجم فایل |
70.016
کیلوبایت
|
نوع فایل |
pdf
|
تعداد صفحات |
9
|
مشخصات
-
RoHS:
true
-
Type:
N Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
onsemi FQT7N10LTF
-
Operating Temperature:
-55°C~+150°C@(Tj)
-
Power Dissipation (Pd):
2W
-
Total Gate Charge (Qg@Vgs):
6nC@5V
-
Drain Source Voltage (Vdss):
100V
-
Input Capacitance (Ciss@Vds):
290pF@25V
-
Continuous Drain Current (Id):
1.7A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
2V@250uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
350mΩ@10V,850mA
-
Package:
SOT-223-4
-
Manufacturer:
onsemi