دیتاشیت FDN308P

FDN308P

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت FDN308P
حجم فایل 70.016 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

دانلود دیتاشیت FDN308P

FDN308P Datasheet

مشخصات

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: onsemi FDN308P
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 500mW
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 5.4nC@4.5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 20V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 341pF@10V
  • Continuous Drain Current (Id): 1.5A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.5V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 125mΩ@4.5V,1.5A
  • Package: SOT-23(TO-236)
  • Manufacturer: onsemi

دیتاشیت محصولات مشابه