دیتاشیت NZT660A

NZT660A

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NZT660A
حجم فایل 70.016 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

دانلود دیتاشیت NZT660A

NZT660A Datasheet

مشخصات

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: onsemi NZT660A
  • Transistor Type: PNP
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 3A
  • Power Dissipation (Pd): 2W
  • Transition Frequency (fT): 75MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 250@500mA,2V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 100nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 60V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 500mV@3A,300mA
  • Package: SOT-223-4
  • Manufacturer: onsemi