IPP65R190CFD دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
IPP65R190CFD
|
|
حجم فایل
|
35.707
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
20
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Type:
N Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
Infineon Technologies IPP65R190CFD
-
Power Dissipation (Pd):
151W
-
Drain Source Voltage (Vdss):
650V
-
Continuous Drain Current (Id):
17.5A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
4.5V@730uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
190mΩ@10V,7.3A
-
Package:
TO-220
-
Manufacturer:
Infineon Technologies
