BC858CW دیتاشیت

BC858CW

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت BC858CW
حجم فایل 63.821 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 5

دانلود دیتاشیت BC858CW

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: Yangzhou Yangjie Elec Tech BC858CW
  • Transistor Type: PNP
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 100mA
  • Power Dissipation (Pd): 200mW
  • Transition Frequency (fT): 100MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 420@2mA,5V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 100nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 30V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 650mV@100mA,5mA
  • Package: SOT-323-3
  • Manufacturer: Yangzhou Yangjie Elec Tech

محصولات مشابه