BC847QASZ دیتاشیت

BC847QASZ

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت BC847QASZ
حجم فایل 49.583 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 12

مشاهده دیتاشیت BC847QASZ

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: Nexperia BC847QASZ
  • Transistor Type: 2 NPN
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 200mA
  • Power Dissipation (Pd): 350mW
  • Transition Frequency (fT): 100MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 200@2mA,5V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 15nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 45V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 300mV@100mA,5mA
  • Package: DFN-6(1x1)
  • Manufacturer: Nexperia

محصولات مشابه