دیتاشیت IPC100N04S5L-1R9
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت |
IPC100N04S5L-1R9
|
| حجم فایل |
60.196
کیلوبایت
|
| نوع فایل |
pdf
|
| تعداد صفحات |
9
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Type:
N Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
Infineon Technologies IPC100N04S5L-1R9
-
Power Dissipation (Pd):
100W
-
Drain Source Voltage (Vdss):
40V
-
Continuous Drain Current (Id):
100A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
2V@50uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
1.9mΩ@10V,50A
-
Package:
TDSON-8-EP(6x5)
-
Manufacturer:
Infineon Technologies