IPC100N04S5L-1R9 数据手册

IPC100N04S5L-1R9

数据手册规格

数据手册名称 IPC100N04S5L-1R9
文件大小 60.196 千字节
文件类型 pdf
页数 9

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技术规格

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IPC100N04S5L-1R9
  • Power Dissipation (Pd): 100W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 40V
  • Continuous Drain Current (Id): 100A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2V@50uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1.9mΩ@10V,50A
  • Package: TDSON-8-EP(6x5)
  • Manufacturer: Infineon Technologies

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