BSB012NE2LXI دیتاشیت

BSB012NE2LXI

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت BSB012NE2LXI
حجم فایل 32.789 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 14

مشاهده دیتاشیت BSB012NE2LXI

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies BSB012NE2LXI
  • Power Dissipation (Pd): 2.8W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 25V
  • Continuous Drain Current (Id): 170A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1.2mΩ@10V,30A
  • Package: MG-WDSON-2
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه