NVJD4152PT1G دیتاشیت

NVJD4152PT1G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NVJD4152PT1G
حجم فایل 96.363 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت NVJD4152PT1G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 2 P-Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: onsemi NVJD4152PT1G
  • Power Dissipation (Pd): 272mW
  • Drain Source Voltage (Vdss): 20V
  • Continuous Drain Current (Id): 880mA
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.2V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 260mΩ@4.5V,880mA
  • Package: SC-88
  • Manufacturer: onsemi

محصولات مشابه