- صفحه اصلی
- دانلود دیتاشیت
- دیتاشیت ME50P06-G
ME50P06-G دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | ME50P06-G |
|---|---|
| حجم فایل | 77.406 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 5 |
دانلود دیتاشیت ME50P06-G |
دانلود دیتاشیت |
|---|
سایر مستندات
مستندات دیگری یافت نشد!
مشخصات فنی
- RoHS: true
- Type: P Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: MATSUKI ME50P06-G
- Power Dissipation (Pd): 114W
- Drain Source Voltage (Vdss): 60V
- Continuous Drain Current (Id): 61A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 17mΩ@10V,17A
- Package: TO-252-2(DPAK)
- Manufacturer: MATSUKI
