دیتاشیت 3DD13009AN

3DD13009AN

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت 3DD13009AN
حجم فایل 64.017 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 4

دانلود دیتاشیت 3DD13009AN

3DD13009AN Datasheet

مشخصات

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: Wuxi China Resources Huajing Microelectronics 3DD13009AN
  • Transistor Type: NPN
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 12A
  • Power Dissipation (Pd): 120W
  • Transition Frequency (fT): 4MHz
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 100uA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 400V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 450mV@8A,1.6A
  • Package: TO-3PN
  • Manufacturer: Wuxi China Resources Huajing Microelectronics

دیتاشیت محصولات مشابه