onsemi FDMS86181E دیتاشیت

FDMS86181E

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت FDMS86181E
حجم فایل 80.846 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت FDMS86181E

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 1 N-channel
  • Category: Transistors/Thyristors/MOSFETs
  • Datasheet: onsemi FDMS86181E
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 125W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 27nC@6V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 2.945nF@50V
  • Continuous Drain Current (Id): 124A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3.1V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 20pF@50V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 3.3mΩ@10V,44A
  • Package: Power-56-8

محصولات مشابه