HYG210P06LQ1D دیتاشیت

HYG210P06LQ1D

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HYG210P06LQ1D
حجم فایل 70.404 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

مشاهده دیتاشیت HYG210P06LQ1D

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HUAYI HYG210P06LQ1D
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 60W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 90nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 60V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 3.679nF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 40A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.7V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 60pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 19mΩ@10V,20A
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: HUAYI

محصولات مشابه