دیتاشیت HE8050G-D-AB3-R

HE8050G-D-AB3-R

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HE8050G-D-AB3-R
حجم فایل 76.379 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 4

دانلود دیتاشیت HE8050G-D-AB3-R

HE8050G-D-AB3-R Datasheet

مشخصات

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: UTC(Unisonic Tech) HE8050G-D-AB3-R
  • Transistor Type: NPN
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 1.5A
  • Power Dissipation (Pd): 500mW
  • Transition Frequency (fT): 100MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 160@100mA,1V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 100nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 25V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 500mV@800mA,80mA
  • Package: SOT-89-3
  • Manufacturer: UTC(Unisonic Tech)

دیتاشیت محصولات مشابه