دیتاشیت FHTA8550Y-ME

FHTA8550Y-ME

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت FHTA8550Y-ME
حجم فایل 50.898 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

دانلود دیتاشیت FHTA8550Y-ME

FHTA8550Y-ME Datasheet

مشخصات

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: FH (Guangdong Fenghua Advanced Tech) FHTA8550Y-ME
  • Transistor Type: PNP
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 500mA
  • Power Dissipation (Pd): 300mW
  • Transition Frequency (fT): 120MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 160@100mA,1V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 100nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 25V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 600mV@500mA,50mA
  • Package: SOT-23
  • Manufacturer: FH (Guangdong Fenghua Advanced Tech)

دیتاشیت محصولات مشابه