HY029N10B6 دیتاشیت

HY029N10B6

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HY029N10B6
حجم فایل 62.962 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

دانلود دیتاشیت HY029N10B6

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: -
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HUAYI HY029N10B6
  • Power Dissipation (Pd): -
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): -
  • Drain Source Voltage (Vdss): -
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): -
  • Continuous Drain Current (Id): -
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): -
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): -
  • Package: TO-263-6
  • Manufacturer: HUAYI

محصولات مشابه