IPDD60R125G7 دیتاشیت

IPDD60R125G7

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IPDD60R125G7
حجم فایل 92.943 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 14

دانلود دیتاشیت IPDD60R125G7

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IPDD60R125G7
  • Power Dissipation (Pd): 120W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 600V
  • Continuous Drain Current (Id): 20A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@320uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 125mΩ@10V,6.4A
  • Package: HDSOP-10-6.6mm
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه