IAUC120N04S6N013 دیتاشیت

IAUC120N04S6N013

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IAUC120N04S6N013
حجم فایل 65.918 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت IAUC120N04S6N013-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IAUC120N04S6N013
  • Power Dissipation (Pd): 115W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 40V
  • Continuous Drain Current (Id): 120A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@60uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1.34mΩ@10V,60A
  • Package: TDSON-8(6.2x5.2)
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه