RSQ015P10TR دیتاشیت

RSQ015P10TR

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت RSQ015P10TR
حجم فایل 69.121 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 12

مشاهده دیتاشیت RSQ015P10TR

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: ROHM Semicon RSQ015P10TR
  • Power Dissipation (Pd): 600mW
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 17nC@5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 950pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 1.5A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@1mA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 470mΩ@1.5A,10V
  • Package: TSMT-6
  • Manufacturer: ROHM Semicon

محصولات مشابه