HSBB02P15 دیتاشیت

HSBB02P15

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HSBB02P15
حجم فایل 71.309 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 5

مشاهده دیتاشیت HSBB02P15

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HUASHUO HSBB02P15
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 7.7W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 4.5nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 150V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 400pF@75V
  • Continuous Drain Current (Id): 2A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 23pF@75V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 640mΩ@10V,1A
  • Package: PQFN-8(3x3)
  • Manufacturer: HUASHUO

محصولات مشابه