ASDM40R009NQ-R دیتاشیت

ASDM40R009NQ-R

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت ASDM40R009NQ-R
حجم فایل 62.96 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت ASDM40R009NQ-R

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Ascend ASDM40R009NQ-R
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 114W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 45nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 40V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 5400pF@20V
  • Continuous Drain Current (Id): 200A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 81pF@20V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1.1mΩ@10V,100A
  • Package: DFN-5(5x6)
  • Manufacturer: Ascend

محصولات مشابه