BSZ160N10NS3G دیتاشیت

BSZ160N10NS3G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت BSZ160N10NS3G
حجم فایل 34.443 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت BSZ160N10NS3G-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies BSZ160N10NS3G
  • Power Dissipation (Pd): 2.1W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Continuous Drain Current (Id): 8A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3.5V@33uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 16mΩ@10V,20A
  • Package: TSDSON-8(3.3x3.3)
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه