BUJ100LR,412 دیتاشیت

BUJ100LR,412

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت BUJ100LR,412
حجم فایل 46.52 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 12

مشاهده دیتاشیت BUJ100LR,412

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: WeEn Semiconductors BUJ100LR,412
  • Transistor Type: NPN
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 1A
  • Power Dissipation (Pd): 2.1W
  • Transition Frequency (fT): -
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 10@400mA,5V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 1mA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 400V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 400mV@750mA,250mA
  • Package: TO-92-3
  • Manufacturer: WeEn Semiconductors

محصولات مشابه