SIA906EDJ-T1-GE3 دیتاشیت

SIA906EDJ-T1-GE3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SIA906EDJ-T1-GE3
حجم فایل 94.038 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت SIA906EDJ-T1-GE3

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 2 N-Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SIA906EDJ-T1-GE3
  • Power Dissipation (Pd): 7.8W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 20V
  • Continuous Drain Current (Id): 4.5A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.4V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 46mΩ@4.5V,3.9A
  • Package: WSON-6-EP(2x2)
  • Manufacturer: Vishay Intertech

محصولات مشابه