IPT65R033G7 دیتاشیت

IPT65R033G7

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IPT65R033G7
حجم فایل 87.925 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 14

مشاهده دیتاشیت IPT65R033G7

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IPT65R033G7
  • Power Dissipation (Pd): 391W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 650V
  • Continuous Drain Current (Id): 69A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@1.44mA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 33mΩ@10V,28.9A
  • Package: HSOF-8
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه