HXY30N06DF دیتاشیت

HXY30N06DF

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HXY30N06DF
حجم فایل 72.233 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت HXY30N06DF

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HXY MOSFET HXY30N06DF
  • Drain Source Voltage (Vdss): 60V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1378pF@15V
  • Continuous Drain Current (Id): 30A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 25mΩ@10V,15A
  • Package: DFN-8L(3x3)
  • Manufacturer: HXY MOSFET

محصولات مشابه