NCEP040N10D دیتاشیت

NCEP040N10D

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NCEP040N10D
حجم فایل 80.86 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت NCEP040N10D

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Wuxi NCE Power Semiconductor NCEP040N10D
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 210W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 110nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 6.3nF@50V
  • Continuous Drain Current (Id): 130A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 40pF@50V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 3.55mΩ@10V65A
  • Package: TO-263
  • Manufacturer: Wuxi NCE Power Semiconductor

محصولات مشابه