Wuxi NCE Power Semiconductor NCEP6090K دیتاشیت

NCEP6090K

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NCEP6090K
حجم فایل 81.832 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت NCEP6090K-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 1 N-channel
  • Category: Transistors/Thyristors/MOSFETs
  • Datasheet: Wuxi NCE Power Semiconductor NCEP6090K
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 100W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 26.9nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 60V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1.7nF@30V
  • Continuous Drain Current (Id): 90A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 8pF@30V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 6.4mΩ@10V,45A
  • Package: TO-252-2

محصولات مشابه