VBM1101N دیتاشیت

VBM1101N

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت VBM1101N
حجم فایل 75.083 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت VBM1101N

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: VBsemi Elec VBM1101N
  • Power Dissipation (Pd): 250W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Continuous Drain Current (Id): 100A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3.5V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 10mΩ@4.5V,20A
  • Package: ITO-220AB-3
  • Manufacturer: VBsemi Elec

محصولات مشابه