IRF1010NSTRLPBF دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
IRF1010NSTRLPBF
|
|
حجم فایل
|
75.153
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
11
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Type:
N Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
Infineon Technologies IRF1010NSTRLPBF
-
Operating Temperature:
-55°C~+175°C@(Tj)
-
Power Dissipation (Pd):
180W
-
Total Gate Charge (Qg@Vgs):
120nC@10V
-
Drain Source Voltage (Vdss):
55V
-
Input Capacitance (Ciss@Vds):
3210pF@25V
-
Continuous Drain Current (Id):
85A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
4V@250uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
11mΩ@10V,43A
-
Package:
D2PAK
-
Manufacturer:
Infineon Technologies
