WSD60N10GDN56 دیتاشیت

WSD60N10GDN56

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت WSD60N10GDN56
حجم فایل 70.225 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 5

مشاهده دیتاشیت WSD60N10GDN56

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Winsok Semicon WSD60N10GDN56
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 125W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 49.9nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 2.604nF@50V
  • Continuous Drain Current (Id): 60A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 6.5pF@50V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 8.5mΩ@10V,10A
  • Package: DFN-8(5.7x5.1)
  • Manufacturer: Winsok Semicon

محصولات مشابه