NTMT090N65S3HF دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
NTMT090N65S3HF
|
|
حجم فایل
|
50.018
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
11
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Type:
N Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
onsemi NTMT090N65S3HF
-
Operating Temperature:
-55°C~+150°C@(Tj)
-
Power Dissipation (Pd):
272W
-
Total Gate Charge (Qg@Vgs):
66nC@10V
-
Drain Source Voltage (Vdss):
650V
-
Input Capacitance (Ciss@Vds):
2.93nF@400V
-
Continuous Drain Current (Id):
36A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
5V@0.86mA
-
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds):
-
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
75mΩ@10V,18A
-
Package:
PQFN-4(8x8)
-
Manufacturer:
onsemi
