دیتاشیت BDP 954 H6327

BDP 954 H6327

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت BDP 954 H6327
حجم فایل 43.292 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

دانلود دیتاشیت BDP 954 H6327

BDP 954 H6327 Datasheet

مشخصات

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: Infineon Technologies BDP 954 H6327
  • Transistor Type: -
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 3A
  • Power Dissipation (Pd): 5W
  • Transition Frequency (fT): 100MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 85@500mA,1V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 100nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 100V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 500mV@2A,200mA
  • Package: SOT-223-4
  • Manufacturer: Infineon Technologies