RU6080L دیتاشیت

RU6080L

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت RU6080L
حجم فایل 71.581 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت RU6080L

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Shenzhen ruichips Semicon RU6080L
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: Shenzhen ruichips Semicon
  • Type: N Channel
  • Operating Temperature: +175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 125W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 55nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 60V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 2.84nF@30V
  • Continuous Drain Current (Id): 80A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 140pF@30V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 7mΩ@10V,30A

محصولات مشابه