HYG190P13NA1B دیتاشیت

HYG190P13NA1B

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HYG190P13NA1B
حجم فایل 66.006 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت HYG190P13NA1B-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HUAYI HYG190P13NA1B
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 230W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 160nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 125V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 8.348nF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 72A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 430pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 18mΩ@10V,30A
  • Package: TO-263
  • Manufacturer: HUAYI

محصولات مشابه