HYG190P13NA1B دیتاشیت

HYG190P13NA1B

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HYG190P13NA1B
حجم فایل 66.006 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

دانلود دیتاشیت HYG190P13NA1B

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HUAYI HYG190P13NA1B
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 230W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 160nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 125V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 8.348nF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 72A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 430pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 18mΩ@10V,30A
  • Package: TO-263
  • Manufacturer: HUAYI

محصولات مشابه