SVF8N65F دیتاشیت

SVF8N65F

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SVF8N65F
حجم فایل 58.335 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

مشاهده دیتاشیت SVF8N65F

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Hangzhou Silan Microelectronics SVF8N65F
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 48W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 14.47nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 650V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 902.3pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 8A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 3.2pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1.2Ω@10V,4A
  • Package: TO-220
  • Manufacturer: Hangzhou Silan Microelectronics

محصولات مشابه