دیتاشیت IPD30N08S2L-21
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | IPD30N08S2L-21 |
|---|---|
| حجم فایل | 57.467 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 8 |
دانلود دیتاشیت IPD30N08S2L-21 |
IPD30N08S2L-21 Datasheet |
|---|
مشخصات
- RoHS: true
- Type: N Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: Infineon Technologies IPD30N08S2L-21
- Power Dissipation (Pd): 136W
- Drain Source Voltage (Vdss): 75V
- Continuous Drain Current (Id): 30A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2V@80uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 20.5mΩ@10V,25A
- Package: TO-252
- Manufacturer: Infineon Technologies
