دیتاشیت IPD30N08S2L-21
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت |
IPD30N08S2L-21
|
| حجم فایل |
57.467
کیلوبایت
|
| نوع فایل |
pdf
|
| تعداد صفحات |
8
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Type:
N Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
Infineon Technologies IPD30N08S2L-21
-
Power Dissipation (Pd):
136W
-
Drain Source Voltage (Vdss):
75V
-
Continuous Drain Current (Id):
30A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
2V@80uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
20.5mΩ@10V,25A
-
Package:
TO-252
-
Manufacturer:
Infineon Technologies
