HUAYI HY4004B دیتاشیت

HY4004B

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HY4004B
حجم فایل 51.164 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

مشاهده دیتاشیت HY4004B-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 1 N-channel
  • Category: Transistors/Thyristors/MOSFETs
  • Datasheet: HUAYI HY4004B
  • Power Dissipation (Pd): 217W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 40V
  • Continuous Drain Current (Id): 208A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 3.2mΩ@10V,104A
  • Package: TO-263-2

محصولات مشابه