دیتاشیت 2SB1188G-P-AB3-R

2SB1188G-P-AB3-R

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت 2SB1188G-P-AB3-R
حجم فایل 48.579 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 3

دانلود دیتاشیت 2SB1188G-P-AB3-R

2SB1188G-P-AB3-R Datasheet

مشخصات

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: UTC(Unisonic Tech) 2SB1188G-P-AB3-R
  • Transistor Type: PNP
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 3A
  • Power Dissipation (Pd): 500mW
  • Transition Frequency (fT): 80MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 160@1A,2V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 1uA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 30V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 300mV@2A,200mA
  • Package: SOT-89-3
  • Manufacturer: UTC(Unisonic Tech)