SIA429DJT-T1-GE3 دیتاشیت

SIA429DJT-T1-GE3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SIA429DJT-T1-GE3
حجم فایل 97.14 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

مشاهده دیتاشیت SIA429DJT-T1-GE3-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SIA429DJT-T1-GE3
  • Power Dissipation (Pd): 3.5W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 20V
  • Continuous Drain Current (Id): 12A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 20.5mΩ@4.5V,6A
  • Package: PowerPAK-SC-70-6
  • Manufacturer: Vishay Intertech

محصولات مشابه