IPD60R400CEAUMA1 دیتاشیت

IPD60R400CEAUMA1

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IPD60R400CEAUMA1
حجم فایل 76.871 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 17

دانلود دیتاشیت IPD60R400CEAUMA1

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IPD60R400CEAUMA1
  • Operating Temperature: -40°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 112W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 32nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 650V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 700pF@100V
  • Continuous Drain Current (Id): 14.7A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3.5V@300uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 400mΩ@10V,3.8A
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه