2301H دیتاشیت

2301H

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت 2301H
حجم فایل 75.28 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 5

مشاهده دیتاشیت 2301H

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: GOFORD 2301H
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 1W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 12nC@2.5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 405pF@10V
  • Continuous Drain Current (Id): 2A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 130mΩ@4.5V,2A
  • Package: SOT-23(TO-236)
  • Manufacturer: GOFORD

محصولات مشابه