VBC6N2014 دیتاشیت

VBC6N2014

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت VBC6N2014
حجم فایل 64.912 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

مشاهده دیتاشیت VBC6N2014

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 2PCSNChannel(Common Drain)
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: VBsemi Elec VBC6N2014
  • Power Dissipation (Pd): 1W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 20V
  • Continuous Drain Current (Id): 6.2A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.6V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 20mΩ@4.5V,6.5A
  • Package: TSSOP-8
  • Manufacturer: VBsemi Elec

محصولات مشابه