دیتاشیت PSMN4R1-60YLX
مشخصات دیتاشیت
نام دیتاشیت |
PSMN4R1-60YLX
|
حجم فایل |
68.211
کیلوبایت
|
نوع فایل |
pdf
|
تعداد صفحات |
12
|
مشخصات
-
RoHS:
true
-
Type:
N Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
Nexperia PSMN4R1-60YLX
-
Operating Temperature:
-55°C~+175°C@(Tj)
-
Power Dissipation (Pd):
238W
-
Total Gate Charge (Qg@Vgs):
103nC@10V
-
Drain Source Voltage (Vdss):
60V
-
Input Capacitance (Ciss@Vds):
7853pF@25V
-
Continuous Drain Current (Id):
100A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
2.1V@1mA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
4.1mΩ@10V,25A
-
Package:
SOT-669
-
Manufacturer:
Nexperia